Wydarzenie w dniu 20.11.2019:
SEMINARIUM INSTYTUTOWE
Dnia: 20.11.2019 roku (środa)
o godzinie 13:00 w auli
referat pt.:
Podstawy oraz możliwości Spektrometrii Mas Jonów Wtórnych (SIMS)
wygłosi
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa
Spektrometria Mas Jonów Wtórnych (Secondary Ion Mass Spectroscopy - SIMS) jest destrukcyjną metodą badania polegającą na trawieniu powierzchni próbki poprzez bombardowanie wiązką jonów pierwotnych, a następnie przeprowadzając analizę masową zjonizowanej materii określa się skład pierwiastkowego badanej próbki. Wraz z odtrawianiem kolejnych warstw materiału uzyskuje się informacje dotyczącą zmiany kompozycji próbki funkcji głębokości, tzw. profil wgłębny. Spektrometr CAMECA IMS SC Ultra pozwala na uzyskanie subnanometrowej rozdzielczości wgłębnej. Jest to bardzo czuła metoda, pozwalająca na wykrywanie większości zanieczyszczeń i domieszek o koncentracji rzędu 1015 at/cm3 (w niektórych przypadkach nawet 1012 at/cm3). Dzięki niej można określać poziomy domieszek, oceniać stabilność warstw, wyznaczać parametry dyfuzji oraz opisywać inne zjawiska zachodzące podczas wytwarzania i obróbki próbek.