Wydarzenia w maju 2026:
SEMINARIUM
Zakładów Naukowych ZN2, ZN3, ZN5
Dnia: 15.05.2026 roku (piątek)
o godzinie 10:00 w auli Instytutu Fizyki Molekularnej Polskiej Akademii Nauk w Poznaniu
referat pt.:
Analiza przejść fazowych w perowskicie metalohalogenkowym Cs4PrBr6: badania DFT
wygłosi
Instytut Fizyki Molekularnej PAN
SEMINARIUM INSTYTUTOWE
Dnia: 13.05.2026 roku (środa)
o godzinie 13:00 w auli Instytutu Fizyki Molekularnej Polskiej Akademii Nauk w Poznaniu
referat pt.:
Copper-based materials for thermoelectric applications
wygłosi
Earth Sciences New Zealand (formerly GNS Science)
Thermoelectric materials directly convert heat into electricity for thermal energy harvesting and waste heat recovery. Key intrinsic properties such as electrical conductivity (σ), Seebeck coefficient (α), and thermal conductivity (κ) must be carefully optimized to achieve a delicate balance among these adversely interrelated parameters. Crystal defects play a crucial role in governing electronic and thermal transport in thermoelectric materials. Defect engineering enables atomic-scale modification of lattice structures to enhance power factors (α2σ) while reducing thermal conductivity [1]. Copper-based thermoelectric materials (TEMs) exhibit diverse defect-related transport phenomena, providing opportunities to design highly efficient TEMs. In particular, copper iodide (CuI) possesses attractive features such as a wide bandgap (Eg ~ 3.1 eV), intrinsic p-type conductivity, and low-temperature fabrication. However, acceptor states originating from copper vacancies (VCu) are pinned near the Fermi energy due to the formation of compensating defects [2], making further optimization challenging. Ion beam modification techniques have been shown to address this limitation by tailoring lattice defects and promoting beneficial defect complexes [3].
We investigated defects and their complexes in ion-beam-sputtered CuI thin films [4–6]. Low-energy (E < 100 keV) ion implantation was performed using various dopants, including metals (Sn, Sb), chalcogens (S, Se, Te), and noble gases (He, Ne, Ar, Kr, Xe), with fluences ranging from 1 × 10¹⁴ to 1 × 10¹⁷ ions/cm². Ion implantation causes the abundant production of Frenkel pairs, which were found to suppress compensating donors in CuI. Supported by density functional theory (DFT) and TRIM Monte Carlo simulation results show that ion implantation stabilizes acceptor states [3,4]. The increased power factor is due to a decoupling of the Seebeck coefficient and electrical conductivity identified through a changing scattering mechanism. The talk will provide a detailed explanation of ion-beam-induced defects and defect complexes, with a focus on optimizing the power factor to design more efficient Cu-based thermoelectric materials.
References:
[1] Wu, C., et al., ACS nano, 18 (2024) 31660-31712.
[2] Liu, A., et al., Adv. Sci., 8 (2021) 2100546.
[3] Kennedy, J., et al., J. R. Soc. N. Z., 51 (2021) 574-591.
[4] Murmu, P.P., et al., ACS Appl. Energy Mater., 3 (2020) 10037-10044.
[5] Murmu, P.P., et al., Mater. Today Energy, 44 (2024) 101639.
[6] Markwitz, M., et al., Appl. Phys. Lett. 125 (2024) 213901.
SEMINARIUM
Zakladów Naukowych ZN4, ZN7, ZN8
Dnia: 11.05.2026 roku (poniedziałek)
o godzinie 10:00 w auli Instytutu Fizyki Molekularnej Polskiej Akademii Nauk w Poznaniu
referat pt.:
Modyfikowany wanadan bizmutu jako obiecujący materiał do zastosowań fotoelektrochemicznych
wygłosi
Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie
Wanadan bizmutu (BiVO₄) od lat przyciąga uwagę jako obiecujący półprzewodnik do zastosowań fotoelektrochemicznych, szczególnie w procesach rozkładu wody z wykorzystaniem energii słonecznej. Jego korzystne właściwości, takie jak odpowiednia szerokość przerwy energetycznej (~2,4 eV), dobra stabilność chemiczna oraz niska toksyczność, czynią go atrakcyjnym kandydatem do zastosowań jako fotoanoda. Niemniej jednak, ograniczenia związane z niską ruchliwością nośników ładunku oraz szybkim ich rekombinowaniem znacząco redukują jego wydajność.
W trakcie wykładu omówione zostaną najnowsze strategie modyfikacji BiVO₄, mające na celu poprawę jego właściwości fotoelektrochemicznych. Szczególny nacisk zostanie położony na domieszkowanie jonami metali (m.in. Cu, La, Eu) oraz inżynierię powierzchni poprzez modyfikacje heptazynami oraz ftalocyjaninami. Przedstawione zostaną mechanizmy poprawy separacji i transportu nośników ładunku oraz zwiększenia wydajności generowania fotoprądów, a także wyzwania stojące przed dalszym rozwojem tych materiałów oraz ich potencjał w kontekście zrównoważonych technologii energetycznych.
SEMINARIUM
Zakładow Naukowych ZN2, ZN3, ZN5
Dnia: 08.05.2026 roku (piątek)
o godzinie 10:00 w auli Instytutu Fizyki Molekularnej Polskiej Akademii Nauk w Poznaniu
referat pt.:
Tłumienie Gilberta w układach cienko- i wielowarstwowych
wygłosi
Instytut Fizyki Molekularnej PAN